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| 类型 | 描述 |
|---|---|
| 系列: | * |
| 包裹: | Bulk |
| 零件状态: | Active |
| 场效应管类型: | - |
| 技术: | - |
| 漏源电压 (vdss): | - |
| 电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c: | - |
| 驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）: | - |
| rds on (max) @ id, vgs: | - |
| vgs(th) (最大值) @ id: | - |
| 栅极电荷 (qg) (max) @ vgs: | - |
| vgs (最大值): | - |
| 输入电容 (ciss) (max) @ vds: | - |
| 场效应管特征: | - |
| 功耗（最大值）: | - |
| 工作温度: | - |
| 安装类型: | - |
| 供应商设备包: | - |
| 包/箱: | - |
UNIT2, 22/F., RICHMOND COMM. 香港九龙旺角亚皆老街109号大厦
办公时间：周一至周五，9:00-18:30(GMT+8)
电话: 00852-52612101
|
IRFPG40PBFVishay / Siliconix |
MOSFET N-CH 1000V 4.3A TO247-3 |
|
SIB417EDK-T1-GE3Vishay / Siliconix |
MOSFET P-CH 8V 9A PPAK SC75-6 |
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SI2319DDS-T1-GE3Vishay / Siliconix |
MOSFET P-CH 40V 2.7A/3.6A SOT23 |
|
STW40N60M2STMicroelectronics |
MOSFET N-CH 600V 34A TO247 |
|
IPSA70R600CEAKMA1Rochester Electronics |
MOSFET N-CH 700V 10.5A TO251-3 |
|
PSMN3R0-60PS,127Nexperia |
MOSFET N-CH 60V 100A TO220AB |
|
NTD32N06-1GRochester Electronics |
MOSFET N-CH 60V 32A IPAK |
|
IAUS165N08S5N029ATMA1IR (Infineon Technologies) |
MOSFET N-CH 80V 165A HSOG-8 |
|
AUIRF3710ZSIR (Infineon Technologies) |
MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK |
|
DMN2041L-7Zetex Semiconductors (Diodes Inc.) |
MOSFET N-CH 20V 6.4A SOT23-3 |
|
IRFBC40LPBFVishay / Siliconix |
MOSFET N-CH 600V 6.2A TO262-3 |
|
SQP120N06-06_GE3Vishay / Siliconix |
MOSFET N-CH 60V 119A TO220AB |
|
NTD95N02RT4Rochester Electronics |
MOSFET N-CH 24V 12A/32A DPAK |
