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IPAN60R650CEXKSA1

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零件编号 :: IPAN60R650CEXKSA1

制造商: Rochester Electronics

描述: MOSFET N-CH 600V 9.9A TO220

目录: 晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单

可用性: 10946 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Nov 13 - Nov 17 2024

PDF格式: IPAN60R650CEXKSA1 PDF

类型	描述
系列:	CoolMOS™
包裹:	Bulk
零件状态:	Active
场效应管类型:	N-Channel
技术:	MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):	600 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:	9.9A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）:	10V
rds on (max) @ id, vgs:	650mOhm @ 2.4A, 10V
vgs(th) (最大值) @ id:	3.5V @ 200µA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:	20.5 nC @ 10 V
vgs (最大值):	±20V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:	440 pF @ 100 V
场效应管特征:	Super Junction
功耗（最大值）:	28W (Tc)
工作温度:	-40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:	Through Hole
供应商设备包:	PG-TO220 Full Pack
包/箱:	TO-220-3 Full Pack

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