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ISP75DP06LMXTSA1

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零件编号 :: ISP75DP06LMXTSA1

制造商: IR (Infineon Technologies)

描述: MOSFET P-CH 60V 1.1A SOT223-4

目录: 晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单

可用性: 10854 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Nov 05 - Nov 09 2025

类型	描述
系列:	OptiMOS™
包裹:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
零件状态:	Active
场效应管类型:	P-Channel
技术:	MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):	60 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:	1.1A (Ta)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）:	4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:	750mOhm @ 1.1A, 10V
vgs(th) (最大值) @ id:	2V @ 77µA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:	4 nC @ 10 V
vgs (最大值):	±20V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:	120 pF @ 30 V
场效应管特征:	-
功耗（最大值）:	1.8W (Ta), 4.2W (Tc)
工作温度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:	Surface Mount
供应商设备包:	PG-SOT223-4
包/箱:	TO-261-4, TO-261AA

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