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NTD3808N-1G

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零件编号 :: NTD3808N-1G

制造商: Rochester Electronics

描述: MOSFET N-CH 16V 12A/76A IPAK

目录: 晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单

可用性: 17275 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Nov 23 - Nov 27 2024

PDF格式: NTD3808N-1G PDF

类型	描述
系列:	-
包裹:	Tube
零件状态:	Obsolete
场效应管类型:	N-Channel
技术:	MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):	16 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:	12A (Ta), 76A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）:	4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:	5.8mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (最大值) @ id:	2.5V @ 250µA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:	21 nC @ 4.5 V
vgs (最大值):	±16V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:	1.66 pF @ 12 V
场效应管特征:	-
功耗（最大值）:	1.3W (Ta), 52W (Tc)
工作温度:	-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型:	Through Hole
供应商设备包:	I-PAK
包/箱:	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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