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RS1E200GNTB

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零件编号 :: RS1E200GNTB

制造商: ROHM Semiconductor

描述: MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP

目录: 晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单

可用性: 12230 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Nov 24 - Nov 28 2024

PDF格式: RS1E200GNTB PDF

类型	描述
系列:	-
包裹:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
零件状态:	Active
场效应管类型:	N-Channel
技术:	MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):	30 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:	20A (Ta)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）:	4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:	4.6mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (最大值) @ id:	2.5V @ 1mA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:	16.8 nC @ 10 V
vgs (最大值):	±20V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:	1080 pF @ 15 V
场效应管特征:	-
功耗（最大值）:	3W (Ta), 25.1W (Tc)
工作温度:	150°C (TJ)
安装类型:	Surface Mount
供应商设备包:	8-HSOP
包/箱:	8-PowerTDFN

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