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2SJ661-DL-1E

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零件编号 :: 2SJ661-DL-1E

制造商: Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor

描述: MOSFET P-CH 60V 38A TO263-2

目录: 晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单

可用性: 11391 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Nov 23 - Nov 27 2024

PDF格式: 2SJ661-DL-1E PDF

类型	描述
系列:	-
包裹:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
零件状态:	Active
场效应管类型:	P-Channel
技术:	MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):	60 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:	38A (Ta)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）:	4V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:	39mOhm @ 19A, 10V
vgs(th) (最大值) @ id:	-
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:	80 nC @ 10 V
vgs (最大值):	±20V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:	4360 pF @ 20 V
场效应管特征:	-
功耗（最大值）:	1.65W (Ta), 65W (Tc)
工作温度:	150°C (TJ)
安装类型:	Surface Mount
供应商设备包:	TO-263-2
包/箱:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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