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FQA11N90-F109

FQA11N90-F109

MOSFET N-CH 900V 11.4A TO3PN

JAN1N6342

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DIODE ZENER 56V 500MW DO35

BU-L0-375

BU-L0-375

LUG 1/0 AWG 3/8" STUD

FQA11N90-F109

FQA11N90-F109

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零件编号 :

FQA11N90-F109

制造商
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
描述
MOSFET N-CH 900V 11.4A TO3PN
目录
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单
可用性
10240 件
发货自
香港仓库
预计发货日期
Nov 15 - Nov 19 2024
PDF格式
FQA11N90-F109 PDF
类型 描述
系列:QFET®
包裹:Tube
零件状态:Active
场效应管类型:N-Channel
技术:MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):900 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:11.4A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）:10V
rds on (max) @ id, vgs:960mOhm @ 5.7A, 10V
vgs(th) (最大值) @ id:5V @ 250µA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:94 nC @ 10 V
vgs (最大值):±30V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:3500 pF @ 25 V
场效应管特征:-
功耗（最大值）:300W (Tc)
工作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:Through Hole
供应商设备包:TO-3PN
包/箱:TO-3P-3, SC-65-3
FQA11N90-F109 可在 GangBo-ic.com 获得，请查看下面的产品页面以获取详细信息，包括 FQA11N90-F109 价格、数据表、库存可用性、技术难度。快速进入比较列表的访问，查找可更换的电子零件。想要为FQA11N90-F109 获得全面的数据以优化供应链（包括交叉引用、生命周期、参数、假冒风险、过时管理预测），请联系我们的技术支持团队。

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