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DMN10H170SFG-13

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MOSFET N-CH 100V PWRDI3333

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零件编号 :

DMN10H170SFG-13

制造商
Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
描述
MOSFET N-CH 100V PWRDI3333
目录
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单
可用性
16000 件
发货自
香港仓库
预计发货日期
Dec 22 - Dec 26 2024
PDF格式
DMN10H170SFG-13 PDF
类型 描述
系列:-
包裹:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
零件状态:Active
场效应管类型:N-Channel
技术:MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):100 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:2.9A (Ta), 8.5A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）:4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:122mOhm @ 3.3A, 10V
vgs(th) (最大值) @ id:3V @ 250µA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:14.9 nC @ 10 V
vgs (最大值):±20V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:870.7 pF @ 25 V
场效应管特征:-
功耗（最大值）:940mW (Ta)
工作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:Surface Mount
供应商设备包:PowerDI3333-8
包/箱:8-PowerVDFN
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