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SI1402DH-T1-GE3

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MOSFET N-CH 30V 2.7A SC70-6

FFSD-08-D-38.50-01-N

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.050 X .050 C.L. FEMALE IDC ASSE

SI1402DH-T1-GE3

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图片仅供参考,请联系我们获取真实图片

零件编号 :

SI1402DH-T1-GE3

制造商
Vishay / Siliconix
描述
MOSFET N-CH 30V 2.7A SC70-6
目录
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单
可用性
862286 件
发货自
香港仓库
预计发货日期
Dec 01 - Dec 05 2024
PDF格式
SI1402DH-T1-GE3 PDF
类型 描述
系列:TrenchFET®
包裹:Tape & Reel (TR)
零件状态:Obsolete
场效应管类型:N-Channel
技术:MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):30 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:2.7A (Ta)
驱动电压(最大 rds on,最小 rds on):2.5V, 4.5V
rds on (max) @ id, vgs:77mOhm @ 3A, 4.5V
vgs(th) (最大值) @ id:1.6V @ 250µA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:4.5 nC @ 4.5 V
vgs (最大值):±12V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:-
场效应管特征:-
功耗(最大值):950mW (Ta)
工作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:Surface Mount
供应商设备包:SC-70-6 (SOT-363)
包/箱:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SI1402DH-T1-GE3 可在 GangBo-ic.com 获得,请查看下面的产品页面以获取详细信息,包括 SI1402DH-T1-GE3 价格、数据表、库存可用性、技术难度。快速进入比较列表的访问,查找可更换的电子零件。想要为SI1402DH-T1-GE3 获得全面的数据以优化供应链(包括交叉引用、生命周期、参数、假冒风险、过时管理预测),请联系我们的技术支持团队。

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