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NP33N06YDG-E1-AY

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零件编号 :: NP33N06YDG-E1-AY

制造商: Renesas Electronics America

描述: MOSFET N-CH 60V 33A 8HSON

目录: 晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单

可用性: 725572 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Nov 27 - Dec 01 2024

PDF格式: NP33N06YDG-E1-AY PDF

类型	描述
系列:	-
包裹:	Tape & Reel (TR)
零件状态:	Active
场效应管类型:	N-Channel
技术:	MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):	60 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:	33A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）:	5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:	14mOhm @ 16.5A, 10V
vgs(th) (最大值) @ id:	2.5V @ 250µA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:	78 nC @ 10 V
vgs (最大值):	±20V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:	3900 pF @ 25 V
场效应管特征:	-
功耗（最大值）:	1W (Ta), 97W (Tc)
工作温度:	175°C (TJ)
安装类型:	Surface Mount
供应商设备包:	8-HSON
包/箱:	8-SMD, Flat Lead Exposed Pad

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