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SIHH125N60EF-T1GE3

SIHH125N60EF-T1GE3

MOSFET N-CH 600V 23A PPAK 8 X 8

SIHH125N60EF-T1GE3

SIHH125N60EF-T1GE3

图片仅供参考，请联系我们获取真实图片

零件编号 :

SIHH125N60EF-T1GE3

制造商
Vishay / Siliconix
描述
MOSFET N-CH 600V 23A PPAK 8 X 8
目录
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单
可用性
13050 件
发货自
香港仓库
预计发货日期
Nov 17 - Nov 21 2024
类型 描述
系列:EF
包裹:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
零件状态:Active
场效应管类型:N-Channel
技术:MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):600 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:23A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）:10V
rds on (max) @ id, vgs:125mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (最大值) @ id:5V @ 250µA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:47 nC @ 10 V
vgs (最大值):±30V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:1533 pF @ 100 V
场效应管特征:-
功耗（最大值）:156W (Tc)
工作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:Surface Mount
供应商设备包:PowerPAK® 8 x 8
包/箱:8-PowerTDFN
SIHH125N60EF-T1GE3 可在 GangBo-ic.com 获得，请查看下面的产品页面以获取详细信息，包括 SIHH125N60EF-T1GE3 价格、数据表、库存可用性、技术难度。快速进入比较列表的访问，查找可更换的电子零件。想要为SIHH125N60EF-T1GE3 获得全面的数据以优化供应链（包括交叉引用、生命周期、参数、假冒风险、过时管理预测），请联系我们的技术支持团队。

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