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MOSFET P-CH 30V 200MA USM

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零件编号 :

SSM3J09FU,LF

制造商
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
描述
MOSFET P-CH 30V 200MA USM
目录
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单
可用性
11805 件
发货自
香港仓库
预计发货日期
Nov 27 - Dec 01 2024
类型 描述
系列:-
包裹:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
零件状态:Active
场效应管类型:P-Channel
技术:MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):30 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:200mA (Ta)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）:3.3V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:2.7Ohm @ 100mA, 10V
vgs(th) (最大值) @ id:1.8V @ 100µA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:-
vgs (最大值):±20V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:22 pF @ 5 V
场效应管特征:-
功耗（最大值）:150mW (Ta)
工作温度:150°C
安装类型:Surface Mount
供应商设备包:USM
包/箱:SC-70, SOT-323
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