SQD23N06-31L_T4GE3

图片仅供参考，请联系我们获取真实图片

零件编号 :: SQD23N06-31L_T4GE3

制造商: Vishay / Siliconix

描述: MOSFET N-CH 60V 23A TO252AA

目录: 晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单

可用性: 396539 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Nov 18 - Nov 22 2024

类型	描述
系列:	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
包裹:	Tape & Reel (TR)
零件状态:	Active
场效应管类型:	N-Channel
技术:	MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):	60 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:	23A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）:	4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:	31mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (最大值) @ id:	2.5V @ 250µA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:	24 nC @ 10 V
vgs (最大值):	±20V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:	845 pF @ 25 V
场效应管特征:	-
功耗（最大值）:	37W (Tc)
工作温度:	-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型:	Surface Mount
供应商设备包:	TO-252AA
包/箱:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

SQD23N06-31L_T4GE3 可在 GangBo-ic.com 获得，请查看下面的产品页面以获取详细信息，包括 SQD23N06-31L_T4GE3 价格、数据表、库存可用性、技术难度。快速进入比较列表的访问，查找可更换的电子零件。想要为SQD23N06-31L_T4GE3 获得全面的数据以优化供应链（包括交叉引用、生命周期、参数、假冒风险、过时管理预测），请联系我们的技术支持团队。

港博实业有限公司 [香港]

UNIT2, 22/F., RICHMOND COMM. 香港九龙旺角亚皆老街109号大厦

办公时间：周一至周五，9:00-18:30(GMT+8)

[email protected]

电话: 00852-52612101

订货时请确认产品规格。
MOQ 是指购买每个零件所需的最低订购量。
如果您有特殊的订购说明，请在订购页面上注明。
将应用装运前检验 (PSI)。
您可以在发货前给我们发送电子邮件以更改订单详细信息。
包裹发货后无法取消订单。

TT提前（银行转账），信用卡，贝宝可以选择。
仅限现金转账。（不接受支票和账单转账。）
客户负责支付所有可能的费用，包括销售税、增值税和海关费用等。
如果您需要详细的发票或税号，请给我们发电子邮件。

可以选择 FedEx、DHL 和 UPS。
您可以选择是通过您的运费账户收取运费，还是由我们这边收取。
偏远地区请提前与物流公司确认。（在这些地区送货可能需要额外费用（35-50 美元）。）
购物车会自动计算运费。
交货时间：当天（订单截止时间为香港时间下午2点）。
交货日期：通常为 2 至 7 个工作日。
它无法指定交货日期。
订单发货后将发送跟踪号。（运营商最多可能需要 24 小时才能显示信息。）

新用户注册后将奖励 5 美元作为积分。
每次在线购物 100 美元将获得 5 美元的奖励。
积分可用于第二个和后续订单。
积分自您最后一次购买之日起两年内有效。

产品相关搜索

SQD23N06-31L_T4GE3 Price
SQD23N06-31L_T4GE3 Series
SQD23N06-31L_T4GE3 Datasheet
SQD23N06-31L_T4GE3 Application
SQD23N06-31L_T4GE3 Replacement
SQD23N06-31L_T4GE3 Pdf
SQD23N06-31L_T4GE3 Applications
SQD23N06-31L_T4GE3 Image
SQD23N06-31L_T4GE3 Picture
SQD23N06-31L_T4GE3 有存货
SQD23N06-31L_T4GE3 Distributor
SQD23N06-31L_T4GE3 Features

AOTL66518

MOSFET N-CH 150V 214A

热卖

BUZ32IN

N-CHANNEL POWER MOSFET

热卖

IPC60R3K3C6X1SA1

MOSFET N-CH BARE DIE

	AOTL66518 Alpha and Omega Semiconductor, Inc.	MOSFET N-CH 150V 214A
	BUZ32IN Rochester Electronics	N-CHANNEL POWER MOSFET
	IPC60R3K3C6X1SA1 IR (Infineon Technologies)	MOSFET N-CH BARE DIE
	SSM3J66MFV,L3F Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation	MOSFET P-CH 20V 800MA VESM
	2SJ602-Z-AZ Rochester Electronics	P-CHANNEL POWER MOSFET
	SQJ401EP-T2_GE3 Vishay / Siliconix	MOSFET P-CH 12V 32A PPAK SO-8
	DMT15H017LPS-13 Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)	MOSFET BVDSS: 101V~250V POWERDI5
	NTMFS5C426NT3G Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 40V 41A/235A 5DFN
	NDH8502P Rochester Electronics	P-CHANNEL MOSFET
	RFB18N10CSVM Rochester Electronics	N-CHANNEL POWER MOSFET
	NTMFS0D7N03CGT1G Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 30V 59A/409A 5DFN
	STU25N10F7 STMicroelectronics	MOSFET N-CH 100V 25A IPAK
	TK10A50W,S5X Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation	X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR