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| 类型 | 描述 |
|---|---|
| 系列: | - |
| 包裹: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
| 零件状态: | Active |
| 内存类型: | Non-Volatile |
| 内存格式: | EEPROM |
| 技术: | EEPROM |
| 内存大小: | 2Kb (256 x 8, 128 x 16) |
| 内存接口: | SPI |
| 时钟频率: | 3 MHz |
| 写周期时间 - 字，页: | 5ms |
| 访问时间: | - |
| 电压 - 电源: | 1.7V ~ 5.5V |
| 工作温度: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 包/箱: | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
| 供应商设备包: | 8-TSSOP-B |
UNIT2, 22/F., RICHMOND COMM. 香港九龙旺角亚皆老街109号大厦
办公时间：周一至周五，9:00-18:30(GMT+8)
电话: 00852-52612101
|
S29GL032N90TFI013Cypress Semiconductor |
IC FLASH 32MBIT PARALLEL 56TSOP |
|
GS8182T18BGD-300IGSI Technology |
IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FPBGA |
|
CY7C199C-15ZXCTRochester Electronics |
IC SRAM 256KBIT PAR 28TSOP I |
|
W9812G2KB-6Winbond Electronics Corporation |
IC DRAM 128MBIT PARALLEL 90TFBGA |
|
CY7C1472BV33-167BZCRochester Electronics |
IC SRAM 72MBIT PARALLEL 165FBGA |
|
MT29F4G08ABADAH4-AITX:DMicron Technology |
IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA |
|
GS81302TT37GE-450IGSI Technology |
IC SRAM 144MBIT PAR 165FPBGA |
|
NM25C040NRochester Electronics |
EEPROM, 512X8, SERIAL PDIP8 |
|
71V016SA15PHIRochester Electronics |
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44TSOP II |
|
71V2556SA100BGGIRenesas Electronics America |
IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 119PBGA |
|
IS42S81600F-7TLIISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II |
|
AS5F12G04SND-10LINAlliance Memory, Inc. |
IC FLASH 2GBIT SPI/QUAD I/O 8LGA |
|
BR25H128F-2CE2ROHM Semiconductor |
IC EEPROM 128KBIT SPI 10MHZ 8SOP |
