类型 | 描述 |
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系列: | - |
包裹: | Tray |
零件状态: | Active |
内存类型: | Volatile |
内存格式: | SRAM |
技术: | SRAM - Asynchronous |
内存大小: | 4Mb (256K x 16) |
内存接口: | Parallel |
时钟频率: | - |
写周期时间 - 字,页: | 15ns |
访问时间: | 15 ns |
电压 - 电源: | 3V ~ 3.6V |
工作温度: | 0°C ~ 70°C (TA) |
安装类型: | Surface Mount |
包/箱: | 48-TFBGA |
供应商设备包: | 48-CABGA (9x9) |
UNIT2, 22/F., RICHMOND COMM. 香港九龙旺角亚皆老街109号大厦
办公时间:周一至周五,9:00-18:30(GMT+8)
电话: 00852-52612101
71V3559S75BQRochester Electronics |
IC SRAM 4.5MBIT PAR 165CABGA |
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R1LP0108ESP-7SR#B0Rochester Electronics |
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOP |
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HM5-6564-5Rochester Electronics |
8K X 8, 16K X 4 CMOS RAM MODULE |
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25LC080DT-I/MNYRoving Networks / Microchip Technology |
IC EEPROM 8KBIT SPI 10MHZ 8TDFN |
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UPD44325362BF5-E40X-FQ1-ARochester Electronics |
QDR SRAM, 1MX36, 0.45NS |
|
CY7C1370KV33-200BZXICypress Semiconductor |
IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA |
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70V3589S133DRGRenesas Electronics America |
IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208PQFP |
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MX25U6435FZNI-10GMacronix |
IC FLASH 64MBIT SPI/QUAD 8WSON |
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CY7C1371KV33-133AXCCypress Semiconductor |
IC SRAM 18MBIT PARALLEL 100TQFP |
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71V416S10BEGRenesas Electronics America |
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA |
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AS4C1M16S-7TCNTRAlliance Memory, Inc. |
IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II |
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THGAF8G8T23BAILToshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.) |
IC FLASH 32GBIT UFS 153WFBGA |
|
CY7C1399B-15ZXITRochester Electronics |
IC SRAM 256KBIT PAR 28TSOP I |