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MOSFET N-CH 600V 76A TO247-4
DIODE SCHOTTKY 30V 100MA 0402
STANDARD SRAM, 4MX16, 55NS
INFRARED EMITTER
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| 类型 | 描述 |
|---|---|
| 系列: | * |
| 包裹: | Bulk |
| 零件状态: | Active |
| 内存类型: | - |
| 内存格式: | - |
| 技术: | - |
| 内存大小: | - |
| 内存接口: | - |
| 时钟频率: | - |
| 写周期时间 - 字，页: | - |
| 访问时间: | - |
| 电压 - 电源: | - |
| 工作温度: | - |
| 安装类型: | - |
| 包/箱: | - |
| 供应商设备包: | - |
UNIT2, 22/F., RICHMOND COMM. 香港九龙旺角亚皆老街109号大厦
办公时间：周一至周五，9:00-18:30(GMT+8)
电话: 00852-52612101
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GS82582DT20GE-500IGSI Technology |
IC SRAM 288MBIT PAR 165FPBGA |
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24LC04BHT-I/MSRoving Networks / Microchip Technology |
IC EEPROM 4KBIT I2C 400KHZ 8MSOP |
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47L04-I/PRoving Networks / Microchip Technology |
IC EERAM 4KBIT I2C 1MHZ 8DIP |
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AS4C512M8D3L-12BANAlliance Memory, Inc. |
IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA |
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70V657S15BC8Renesas Electronics America |
IC SRAM 1.125MBIT PAR 256CABGA |
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IS61LF204836B-7.5TQLI-TRISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
IC SRAM 72MBIT PARALLEL 100LQFP |
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S-24CS01AFT-TB-GABLIC U.S.A. Inc. |
IC EEPROM 1KBIT I2C 8TSSOP |
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NM24C04ENRochester Electronics |
IC EEPROM 4KBIT I2C 100KHZ 8DIP |
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70V7319S166BC8Renesas Electronics America |
IC SRAM 4.5MBIT PAR 256CABGA |
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S-93C46BD0I-K8T3UABLIC U.S.A. Inc. |
IC EEPROM 1KBIT SPI 2MHZ 8TMSOP |
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IS61VPS102418B-200TQLI-TRISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
IC SRAM 18MBIT PARALLEL 100LQFP |
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70V639S12BFGIRenesas Electronics America |
IC SRAM 2.25MBIT PAR 208FPBGA |
|
IS43R16320F-6TLISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II |