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| 类型 | 描述 |
|---|---|
| 系列: | * |
| 包裹: | Bulk |
| 零件状态: | Active |
| 内存类型: | - |
| 内存格式: | - |
| 技术: | - |
| 内存大小: | - |
| 内存接口: | - |
| 时钟频率: | - |
| 写周期时间 - 字，页: | - |
| 访问时间: | - |
| 电压 - 电源: | - |
| 工作温度: | - |
| 安装类型: | - |
| 包/箱: | - |
| 供应商设备包: | - |
UNIT2, 22/F., RICHMOND COMM. 香港九龙旺角亚皆老街109号大厦
办公时间：周一至周五，9:00-18:30(GMT+8)
电话: 00852-52612101
|
IS25WP064A-JBLEISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
IC FLASH 64MBIT SPI/QUAD 8SOIC |
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GD25LQ10CEIGRGigaDevice |
IC FLASH 1MBIT SPI/QUAD 8USON |
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CAT25256VI-GT3Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
IC EEPROM 256KBIT SPI 8SOIC |
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CY7S1061G18-15ZSXICypress Semiconductor |
IC SRAM 16MBIT PAR 54TSOP II |
|
70T3519S166BCIRenesas Electronics America |
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 256CABGA |
|
24LC32AT-E/MSRoving Networks / Microchip Technology |
IC EEPROM 32KBIT I2C 8MSOP |
|
DS1220AB-100+Maxim Integrated |
IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP |
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AT24C1024BW-SH-BRochester Electronics |
IC EEPROM 1MBIT I2C 1MHZ 8SOIC |
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GS8256436GD-200IVGSI Technology |
IC SRAM 288MBIT PAR 165FPBGA |
|
70V658S12BCIRenesas Electronics America |
IC SRAM 2MBIT PARALLEL 256CABGA |
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MX25L1633EM2I-10GMacronix |
IC FLASH 16MBIT SPI 104MHZ 8SOP |
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MT48LC16M16A2B4-6A AAT:G TRMicron Technology |
IC DRAM 256MBIT PARALLEL 54VFBGA |
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IS42S83200G-7BL-TRISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
IC DRAM 256MBIT PARALLEL 54TFBGA |
