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| 类型 | 描述 |
|---|---|
| 系列: | - |
| 包裹: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
| 零件状态: | Active |
| 内存类型: | Non-Volatile |
| 内存格式: | EEPROM |
| 技术: | EEPROM |
| 内存大小: | 1Kb (128 x 8) |
| 内存接口: | Single Wire |
| 时钟频率: | 100 kHz |
| 写周期时间 - 字，页: | 5ms |
| 访问时间: | - |
| 电压 - 电源: | 2.5V ~ 5.5V |
| 工作温度: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 包/箱: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 供应商设备包: | SOT-23-3 |
UNIT2, 22/F., RICHMOND COMM. 香港九龙旺角亚皆老街109号大厦
办公时间：周一至周五，9:00-18:30(GMT+8)
电话: 00852-52612101
|
CY7C1399BN-15ZXITRochester Electronics |
IC SRAM 256KBIT PAR 28TSOP I |
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71V016SA15YGI8Renesas Electronics America |
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ |
|
70V24L20PFGI8Renesas Electronics America |
IC SRAM 64KBIT PARALLEL 100TQFP |
|
CY15B016Q-SXATCypress Semiconductor |
IC FRAM 16KBIT SPI 20MHZ 8SOIC |
|
25AA160D-I/SNRoving Networks / Microchip Technology |
IC EEPROM 16KBIT SPI 10MHZ 8SOIC |
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S29GL064S80DHB023Cypress Semiconductor |
IC FLASH 64MBIT PARALLEL 64FBGA |
|
GD25Q32CTJGRGigaDevice |
IC FLASH 32MBIT SPI/QUAD 8SOP |
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CYD02S18V-133BBIRochester Electronics |
DUAL-PORT SRAM, 128KX18 |
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AS4C128M32MD2A-25BINTRAlliance Memory, Inc. |
IC DRAM 4GBIT PARALLEL 134FBGA |
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71V3556SA166BQ8Renesas Electronics America |
IC SRAM 4.5MBIT PAR 165CABGA |
|
25LC080T-I/SNRoving Networks / Microchip Technology |
IC EEPROM 8KBIT SPI 2MHZ 8SOIC |
|
GS816036DGT-333IGSI Technology |
IC SRAM 18MBIT PARALLEL 100TQFP |
|
W9425G6KH-5 TRWinbond Electronics Corporation |
IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II |
