类型 | 描述 |
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系列: | - |
包裹: | Tray |
零件状态: | Active |
内存类型: | Volatile |
内存格式: | SRAM |
技术: | SRAM - Synchronous, ZBT |
内存大小: | 36Mb (2M x 18) |
内存接口: | Parallel |
时钟频率: | 250 MHz |
写周期时间 - 字,页: | - |
访问时间: | - |
电压 - 电源: | 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V |
工作温度: | -40°C ~ 100°C (TJ) |
安装类型: | Surface Mount |
包/箱: | 100-LQFP |
供应商设备包: | 100-TQFP (20x14) |
UNIT2, 22/F., RICHMOND COMM. 香港九龙旺角亚皆老街109号大厦
办公时间:周一至周五,9:00-18:30(GMT+8)
电话: 00852-52612101
28C64A-20B/UCRochester Electronics |
64K (8K X 8) CMOS EEPROM |
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CY14B256K-SP45XIRochester Electronics |
IC NVSRAM 256KBIT PAR 48SSOP |
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CY7C167A-35VCRochester Electronics |
STANDARD SRAM, 16KX1, 35NS |
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AT28C010E-15DM/883Roving Networks / Microchip Technology |
IC EEPROM 1MBIT PARALLEL 32CDIP |
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W979H6KBVX2E TRWinbond Electronics Corporation |
IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA |
|
R1RW0416DSB-0PR#D0Rochester Electronics |
STANDARD SRAM, 256KX16 |
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S70FL01GSAGMFB013Cypress Semiconductor |
IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 16SOIC |
|
NM25C040LM8Rochester Electronics |
EEPROM, 512X8, SERIAL, CMOS |
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71T75902S75PFGIRenesas Electronics America |
IC SRAM 18MBIT PARALLEL 100TQFP |
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M95040-DRMF3TG/KSTMicroelectronics |
IC EEPROM 4KBIT SPI 20MHZ 8MLP |
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SST25VF040B-50-4I-QAFRoving Networks / Microchip Technology |
IC FLASH 4MBIT SPI 50MHZ 8WSON |
|
UPD44325362BF5-E40Y-FQ1-ARochester Electronics |
QDR SRAM, 1MX36, 0.45NS |
|
FM24V10-GTRCypress Semiconductor |
IC FRAM 1MBIT I2C 3.4MHZ 8SOIC |