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| 类型 | 描述 |
|---|---|
| 系列: | - |
| 包裹: | Tube |
| 零件状态: | Active |
| 内存类型: | Non-Volatile |
| 内存格式: | EEPROM |
| 技术: | EEPROM |
| 内存大小: | 4Kb (512 x 8, 256 x 16) |
| 内存接口: | SPI |
| 时钟频率: | 3 MHz |
| 写周期时间 - 字，页: | 2ms |
| 访问时间: | - |
| 电压 - 电源: | 4.5V ~ 5.5V |
| 工作温度: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 包/箱: | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) |
| 供应商设备包: | 8-MSOP |
UNIT2, 22/F., RICHMOND COMM. 香港九龙旺角亚皆老街109号大厦
办公时间：周一至周五，9:00-18:30(GMT+8)
电话: 00852-52612101
|
DS1230WP-100+Maxim Integrated |
IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP |
|
CAT24FC256LIRochester Electronics |
IC EEPROM 256KBIT I2C 1MHZ 8DIP |
|
24LC16BHT-I/MSRoving Networks / Microchip Technology |
IC EEPROM 16KBIT I2C 8MSOP |
|
S25FL129P0XMFI010Flip Electronics |
IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 16SOIC |
|
N25Q064A13EF640EAlliance Memory, Inc. |
IC FLSH 64MBIT SPI 108MHZ 8VDFPN |
|
AS4C8M32S-7TCNTRAlliance Memory, Inc. |
IC DRAM 256MBIT PAR 86TSOP II |
|
MX29GL128FLT2I-90GMacronix |
IC FLASH 128MBIT PARALLEL 56TSOP |
|
AS4C4M16SA-6TCNTRAlliance Memory, Inc. |
IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II |
|
IS42S16100H-7BLIISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
IC DRAM 16MBIT PARALLEL 60TFBGA |
|
CY7C1620KV18-250BZXCCypress Semiconductor |
IC SRAM 144MBIT PARALLEL 165FBGA |
|
CY14MB064J2A-SXIRochester Electronics |
IC NVSRAM 64KBIT I2C 8SOIC |
|
AT45DB021E-SSHNHA-TAdesto Technologies |
IC FLASH 2MBIT SPI 70MHZ 8SOIC |
|
CY7C1525KV18-333BZCRochester Electronics |
IC SRAM 72MBIT PARALLEL 165FBGA |
