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| 类型 | 描述 |
|---|---|
| 系列: | SST39 MPF™ |
| 包裹: | Tray |
| 零件状态: | Active |
| 内存类型: | Non-Volatile |
| 内存格式: | FLASH |
| 技术: | FLASH |
| 内存大小: | 8Mb (512K x 16) |
| 内存接口: | Parallel |
| 时钟频率: | - |
| 写周期时间 - 字，页: | 10µs |
| 访问时间: | 70 ns |
| 电压 - 电源: | 2.7V ~ 3.6V |
| 工作温度: | 0°C ~ 70°C (TA) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 包/箱: | 48-TFBGA |
| 供应商设备包: | 48-TFBGA (6x8) |
UNIT2, 22/F., RICHMOND COMM. 香港九龙旺角亚皆老街109号大厦
办公时间：周一至周五，9:00-18:30(GMT+8)
电话: 00852-52612101
|
24FC16T-E/MUYRoving Networks / Microchip Technology |
IC EEPROM 16KBIT I2C 1MHZ 8UDFN |
|
GD25Q32CNIGRGigaDevice |
IC FLASH 32MBIT SPI/QUAD 8USON |
|
S29GL01GT12DHN020Cypress Semiconductor |
IC FLASH 1GBIT PARALLEL 64FBGA |
|
CAT24M01WE-GT3Rochester Electronics |
IC EEPROM 1MBIT I2C 400KHZ 8SOIC |
|
MX25R512FZUIH1Macronix |
IC FLASH 512KBIT SPI/QUAD 8USON |
|
AS7C32098A-20TCNTRAlliance Memory, Inc. |
IC SRAM 2MBIT PARALLEL 44TSOP2 |
|
AS4C32M32MD2A-25BINAlliance Memory, Inc. |
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134FBGA |
|
STK14D88-NF45Rochester Electronics |
IC NVSRAM 256KBIT PAR 32SOIC |
|
MT58V512V36DF-7.5Rochester Electronics |
CACHE SRAM, 512KX36, 4NS, CMOS, |
|
TMS62828L-85NWRochester Electronics |
STANDARD SRAM, 128KX8 |
|
BR24G64FJ-3GTE2ROHM Semiconductor |
IC EEPROM 64KBIT I2C 8SOPJ |
|
DS2460S+Maxim Integrated |
IC EEPROM 896B I2C 400KHZ 8SO |
|
71V416S12BE8Renesas Electronics America |
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA |
