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MT54V512H18EF-10

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零件编号 :: MT54V512H18EF-10

制造商: Rochester Electronics

描述: IC SRAM 9MBIT PARALLEL 165FBGA

可用性: 10147 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Nov 23 - Nov 27 2024

类型	描述
系列:	QDR™
包裹:	Bulk
零件状态:	Active
内存类型:	Volatile
内存格式:	SRAM
技术:	SRAM - Quad Port, Synchronous
内存大小:	9Mb (512K x 18)
内存接口:	Parallel
时钟频率:	100 MHz
写周期时间 - 字，页:	-
访问时间:	-
电压 - 电源:	2.4V ~ 2.6V
工作温度:	0°C ~ 70°C (TA)
安装类型:	Surface Mount
包/箱:	165-TBGA
供应商设备包:	165-FBGA (13x15)

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