类型 | 描述 |
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系列: | - |
包裹: | Tray |
零件状态: | Active |
内存类型: | Volatile |
内存格式: | SRAM |
技术: | SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) |
内存大小: | 9Mb (512K x 18) |
内存接口: | Parallel |
时钟频率: | - |
写周期时间 - 字,页: | - |
访问时间: | 8.5 ns |
电压 - 电源: | 3.135V ~ 3.465V |
工作温度: | -40°C ~ 85°C (TA) |
安装类型: | Surface Mount |
包/箱: | 119-BGA |
供应商设备包: | 119-PBGA (14x22) |
UNIT2, 22/F., RICHMOND COMM. 香港九龙旺角亚皆老街109号大厦
办公时间:周一至周五,9:00-18:30(GMT+8)
电话: 00852-52612101
S29JL064J60TFA000Rochester Electronics |
IC FLASH 64MBIT PARALLEL 48TSOP |
|
S25FL256SDSMFB001Cypress Semiconductor |
IC FLASH 256MBIT SPI/QUAD 16SOIC |
|
MM54C200D/883Rochester Electronics |
STANDARD SRAM, 256X1 |
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IS49RL18320-125EBLISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
IC DRAM 576MBIT PAR 168FCBGA |
|
71V3577S85BQIRenesas Electronics America |
IC SRAM 4.5MBIT PAR 165CABGA |
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CY62167GE30-45BVXICypress Semiconductor |
IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48VFBGA |
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CY14B104L-BA25XCRochester Electronics |
IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 48FBGA |
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W25Q80EWSSIG TRWinbond Electronics Corporation |
IC FLASH 8MBIT SPI 104MHZ 8SOIC |
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CY7C1360C-200AXCRochester Electronics |
QDR SRAM, 256KX36, 3NS PQFP100 |
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041841QLAD-7Rochester Electronics |
256KX18 SRAM |
|
71256L25YGIRochester Electronics |
IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ |
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FM24C05UNRochester Electronics |
IC EEPROM 4KBIT I2C 100KHZ 8DIP |
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93C86C-E/SNRoving Networks / Microchip Technology |
IC EEPROM 16KBIT SPI 3MHZ 8SOIC |