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| 类型 | 描述 |
|---|---|
| 系列: | - |
| 包裹: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
| 零件状态: | Obsolete |
| 内存类型: | Non-Volatile |
| 内存格式: | FLASH |
| 技术: | FLASH |
| 内存大小: | 512Kb (64K x 8) |
| 内存接口: | SPI |
| 时钟频率: | 100 MHz |
| 写周期时间 - 字，页: | 5ms |
| 访问时间: | - |
| 电压 - 电源: | 2.7V ~ 3.6V |
| 工作温度: | -40°C ~ 105°C (TA) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 包/箱: | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
| 供应商设备包: | 8-TSSOP |
UNIT2, 22/F., RICHMOND COMM. 香港九龙旺角亚皆老街109号大厦
办公时间：周一至周五，9:00-18:30(GMT+8)
电话: 00852-52612101
|
CY7C1480V25-200BZCCypress Semiconductor |
IC SRAM 72MBIT PARALLEL 165FBGA |
|
IS49NLC36160-25BIISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
IC DRAM 576MBIT PAR 144FCBGA |
|
93C86B-I/PRoving Networks / Microchip Technology |
IC EEPROM 16KBIT SPI 3MHZ 8DIP |
|
M29W800DB70N6EMicron Technology |
IC FLASH 8MBIT PARALLEL 48TSOP |
|
IDT71V65903S80PFRenesas Electronics America |
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP |
|
MT47H32M16CC-37E:B TRMicron Technology |
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA |
|
71V3557S75PFGIRenesas Electronics America |
IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP |
|
IDT71V432S6PFIRenesas Electronics America |
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 100TQFP |
|
MX29LV400CTTC-90GMacronix |
IC FLASH 4MBIT PARALLEL 48TSOP |
|
AS4C8M16D1-5TINAlliance Memory, Inc. |
IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II |
|
STK11C88-SF25Cypress Semiconductor |
IC NVSRAM 256KBIT PAR 28SOIC |
|
MT29C2G24MAABAHAMD-5 IT TRMicron Technology |
IC FLASH RAM 2GBIT PAR 130VFBGA |
|
IS46DR81280B-25DBLA2ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA |
