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| 类型 | 描述 |
|---|---|
| 系列: | - |
| 包裹: | Tape & Reel (TR) |
| 零件状态: | Active |
| 内存类型: | Non-Volatile |
| 内存格式: | EEPROM |
| 技术: | EEPROM |
| 内存大小: | 16Kb (2K x 8) |
| 内存接口: | SPI |
| 时钟频率: | 3 MHz |
| 写周期时间 - 字，页: | 2ms |
| 访问时间: | - |
| 电压 - 电源: | 4.5V ~ 5.5V |
| 工作温度: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 包/箱: | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
| 供应商设备包: | 8-TSSOP |
UNIT2, 22/F., RICHMOND COMM. 香港九龙旺角亚皆老街109号大厦
办公时间：周一至周五，9:00-18:30(GMT+8)
电话: 00852-52612101
|
IDT7164S35YGRenesas Electronics America |
IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28SOJ |
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IS42S32800B-7TLI-TRISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
IC DRAM 256MBIT PAR 86TSOP II |
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IDT7164L35YGI8Renesas Electronics America |
IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28SOJ |
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IDT71V3577SA85BQI8Renesas Electronics America |
IC SRAM 4.5MBIT PAR 165CABGA |
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MTFC16GAKAENA-4M ITMicron Technology |
IC FLASH 128GBIT MMC 100TBGA |
|
MT29F256G08CKCABH2-12Z:AMicron Technology |
IC FLASH 256GBIT PAR 100TBGA |
|
71321LA55JRenesas Electronics America |
IC SRAM 16KBIT PARALLEL 52PLCC |
|
JS28F00AP33EF0Micron Technology |
IC FLASH 1GBIT PARALLEL 56TSOP |
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AT25010AY1-10YI-2.7Roving Networks / Microchip Technology |
IC EEPROM 1KBIT SPI 20MHZ 8MAP |
|
MT25QU01GBBB8ESF-0SITMicron Technology |
IC FLASH 1GBIT SPI 166MHZ 16SOP2 |
|
93C86B-I/MSRoving Networks / Microchip Technology |
IC EEPROM 16KBIT SPI 3MHZ 8MSOP |
|
IDT71V416YS12YIRenesas Electronics America |
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ |
|
RC28F128J3D75B TRMicron Technology |
IC FLASH 128MBIT PAR 64EASYBGA |
