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| 类型 | 描述 |
|---|---|
| 系列: | - |
| 包裹: | Bulk |
| 零件状态: | Active |
| 内存类型: | Volatile |
| 内存格式: | SRAM |
| 技术: | SRAM - Asynchronous |
| 内存大小: | 1Mb (64K x 16) |
| 内存接口: | Parallel |
| 时钟频率: | - |
| 写周期时间 - 字，页: | 12ns |
| 访问时间: | 12 ns |
| 电压 - 电源: | 4.5V ~ 5.5V |
| 工作温度: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 包/箱: | 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) |
| 供应商设备包: | 44-SOJ |
UNIT2, 22/F., RICHMOND COMM. 香港九龙旺角亚皆老街109号大厦
办公时间：周一至周五，9:00-18:30(GMT+8)
电话: 00852-52612101
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S29PL127J65BFW040Cypress Semiconductor |
IC FLASH 128MBIT PARALLEL 56FBGA |
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MT29F1T08EEHBFJ4-T:B TRMicron Technology |
IC FLASH 1TB PARALLEL 132VBGA |
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5962-8700215ZARenesas Electronics America |
IC SRAM 16KBIT PARALLEL SB48 |
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S-34C04AB-A8T3U5ABLIC U.S.A. Inc. |
IC EEPROM 4KBIT I2C 1MHZ 8DFN |
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MT53E4DADT-DC TRMicron Technology |
LPDDR4 0 VFBGA QDP |
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EDB8164B4PR-1D-F-R TRMicron Technology |
IC DRAM 8GBIT PARALLEL 216FBGA |
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CHD1616LVB-70Rochester Electronics |
16-MB (1M X 16) PSUEDO SRAM |
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EM63B165TS-5ISGEtron Technology |
IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II |
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MT53E768M32D4DT-053 AUT:EMicron Technology |
LPDDR4 24G 1.5GX16 FBGA QDP |
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S25FS512SAGNFA010Cypress Semiconductor |
IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 8WSON |
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MX29GL128EUXFI-11GMacronix |
IC FLSH 128MBIT PARALLEL 64LFBGA |
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W25Q128JWYIM TRWinbond Electronics Corporation |
IC FLSH 128MBIT SPI/QUAD 21WLCSP |
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6116LA45TDBRenesas Electronics America |
IC SRAM 16KBIT PARALLEL 24CDIP |
