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| 类型 | 描述 |
|---|---|
| 系列: | - |
| 包裹: | Bulk |
| 零件状态: | Active |
| 内存类型: | Non-Volatile |
| 内存格式: | EEPROM |
| 技术: | EEPROM |
| 内存大小: | 8Kb (1K x 8) |
| 内存接口: | I²C |
| 时钟频率: | 400 kHz |
| 写周期时间 - 字，页: | 5ms |
| 访问时间: | 900 ns |
| 电压 - 电源: | 1.7V ~ 5.5V |
| 工作温度: | -40°C ~ 125°C (TA) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 包/箱: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 供应商设备包: | 8-SOIC |
UNIT2, 22/F., RICHMOND COMM. 香港九龙旺角亚皆老街109号大厦
办公时间：周一至周五，9:00-18:30(GMT+8)
电话: 00852-52612101
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MT53E2D1BFW-DCMicron Technology |
SPECIAL/CUSTOM LPDDR4 |
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MTFC8GAMALHT-AITMicron Technology |
IC FLASH 64GBIT MMC |
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MT53D512M64D4RQ-053 WT:E TRMicron Technology |
IC DRAM 32GBIT 1866MHZ 556WFBGA |
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MT53D512M64D4NZ-053 WT:DMicron Technology |
IC DRAM 32GBIT 1866MHZ 376WFBGA |
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MT53E512M64D4NK-053 WT:DMicron Technology |
IC DRAM LPDDR4 FBGA |
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CY7C182-35SCRochester Electronics |
8KX9 STATIC RAM |
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4164-15JDS/BEARochester Electronics |
DUAL MARKED (8201006EA) |
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RM24C32C-LCSI-TAdesto Technologies |
IC CBRAM 32KBIT I2C 1MHZ 6WLCSP |
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MT40A512M8SA-062E AUT:F TRMicron Technology |
IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA |
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MX66L51255FXDI-10GMacronix |
IC FLASH 512MBIT |
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M10162040108X0PSAYRenesas Electronics America |
IC RAM 16MBIT 108MHZ 8SOIC |
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M30162040054X0ISARRenesas Electronics America |
IC RAM 16MBIT SPI 54MHZ 8SOIC |
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MT62F768M64D4EJ-031 WT:AMicron Technology |
LPDDR5 48G 768MX64 FBGA QDP |
