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SSM6N36FE,LM

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MOSFET 2N-CH 20V 0.5A ES6

SSM6N36FE,LM

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零件编号 :

SSM6N36FE,LM

制造商
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
描述
MOSFET 2N-CH 20V 0.5A ES6
目录
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 阵列
可用性
400440 件
发货自
香港仓库
预计发货日期
Nov 23 - Nov 27 2024
PDF格式
SSM6N36FE,LM PDF
类型 描述
系列:-
包裹:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
零件状态:Active
场效应管类型:2 N-Channel (Dual)
场效应管特征:Logic Level Gate
漏源电压 (vdss):20V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:500mA
rds on (max) @ id, vgs:630mOhm @ 200mA, 5V
vgs(th) (最大值) @ id:1V @ 1mA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:1.23nC @ 4V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:46pF @ 10V
功率 - 最大值:150mW
工作温度:150°C (TJ)
安装类型:Surface Mount
包/箱:SOT-563, SOT-666
供应商设备包:ES6 (1.6x1.6)
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