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| 类型 | 描述 |
|---|---|
| 系列: | - |
| 包裹: | Tube |
| 零件状态: | Obsolete |
| 场效应管类型: | 4 P-Channel |
| 场效应管特征: | Standard |
| 漏源电压 (vdss): | 30V |
| 电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c: | 600mA |
| rds on (max) @ id, vgs: | 2Ohm @ 1A, 12V |
| vgs(th) (最大值) @ id: | 4.5V @ 1mA |
| 栅极电荷 (qg) (max) @ vgs: | - |
| 输入电容 (ciss) (max) @ vds: | 150pF @ 15V |
| 功率 - 最大值: | 2W |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 安装类型: | - |
| 包/箱: | - |
| 供应商设备包: | - |
UNIT2, 22/F., RICHMOND COMM. 香港九龙旺角亚皆老街109号大厦
办公时间：周一至周五，9:00-18:30(GMT+8)
电话: 00852-52612101
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UPA2381T1P-E1-A#YWRenesas Electronics America |
MOSFET |
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APTM120VDA57T3GMicrosemi |
MOSFET 2N-CH 1200V 17A SP3 |
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NSTJD1155LT1GSanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
MOSFET 2P-CH 8V 1.3A SC88 |
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APTM20DHM20TGMicrosemi |
MOSFET 2N-CH 200V 89A SP4 |
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AOC3870Alpha and Omega Semiconductor, Inc. |
MOSFET N-CHANNEL 6DFN |