类型 | 描述 |
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系列: | - |
包裹: | Tape & Reel (TR) |
零件状态: | Obsolete |
晶体管型: | E-pHEMT |
频率: | 2GHz |
获得: | 17.7dB |
电压测试: | 2.7 V |
额定电流(安培): | 100mA |
噪声系数: | 0.6dB |
电流测试: | 10 mA |
功率输出: | 14.4dBm |
额定电压: | 5 V |
包/箱: | SC-82A, SOT-343 |
供应商设备包: | SOT-343 |
UNIT2, 22/F., RICHMOND COMM. 香港九龙旺角亚皆老街109号大厦
办公时间:周一至周五,9:00-18:30(GMT+8)
电话: 00852-52612101
BLF6G10LS-200R,112Ampleon |
RF FET LDMOS 65V SOT502B |
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ATF-551M4-TR2Broadcom |
IC PHEMT 2GHZ 2.7V 10MA MINIPAK |
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NE3508M04-T2-ACEL (California Eastern Laboratories) |
FET RF 4V 2GHZ 4-TSMM |
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MRF8S21140HSR3NXP Semiconductors |
FET RF 65V 2.14GHZ NI780S |
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BLF6G10LS-135RN:11Ampleon |
RF FET LDMOS 65V 21DB SOT502B |
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MRF5S9150HR3NXP Semiconductors |
FET RF 68V 880MHZ NI-780 |
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BF545A,215NXP Semiconductors |
JFET N-CH 30V 6.5MA SOT23 |
|
BF909,235NXP Semiconductors |
MOSFET N-CH 7V 40MA SOT143 |
|
BLF6G10LS-160RN:11Ampleon |
RF FET LDMOS 65V 22.5DB SOT502B |
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MRF8P26080HSR5NXP Semiconductors |
FET RF 2CH 65V 2.62GHZ NI780S-4 |
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MRF6P24190HR5NXP Semiconductors |
FET RF 68V 2.39GHZ NI-1230 |
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BLF6G20LS-75,112Ampleon |
RF FET LDMOS 65V 19DB SOT502B |
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PTFA261301E V1IR (Infineon Technologies) |
IC FET RF LDMOS 130W H-30260-2 |