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RES SMD 6.19KOHM 0.1% 1/10W 0603

PMCM650VNEZ

PMCM650VNEZ

MOSFET N-CH 12V 6.4A 6WLCSP

KBL400

KBL400

STD 4A, CASE TYPE: KBL

PMCM650VNEZ

PMCM650VNEZ

图片仅供参考,请联系我们获取真实图片

零件编号 :

PMCM650VNEZ

制造商
Rochester Electronics
描述
MOSFET N-CH 12V 6.4A 6WLCSP
目录
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单
可用性
461124 件
发货自
香港仓库
预计发货日期
Dec 19 - Dec 23 2024
PDF格式
PMCM650VNEZ PDF
类型 描述
系列:-
包裹:Bulk
零件状态:Obsolete
场效应管类型:N-Channel
技术:MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):12 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:6.4A (Ta)
驱动电压(最大 rds on,最小 rds on):4.5V
rds on (max) @ id, vgs:25mOhm @ 3A, 4.5V
vgs(th) (最大值) @ id:900mV @ 250µA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:15.4 nC @ 4.5 V
vgs (最大值):±8V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:1.06 pF @ 6 V
场效应管特征:-
功耗(最大值):556mW (Ta), 12.5W (Tc)
工作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:Surface Mount
供应商设备包:6-WLCSP (1.48x.98)
包/箱:6-XFBGA, WLCSP
PMCM650VNEZ 可在 GangBo-ic.com 获得,请查看下面的产品页面以获取详细信息,包括 PMCM650VNEZ 价格、数据表、库存可用性、技术难度。快速进入比较列表的访问,查找可更换的电子零件。想要为PMCM650VNEZ 获得全面的数据以优化供应链(包括交叉引用、生命周期、参数、假冒风险、过时管理预测),请联系我们的技术支持团队。

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