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CSD17309Q3

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零件编号 :: CSD17309Q3

制造商: Texas Instruments

描述: MOSFET N-CH 30V 20A/60A 8VSON

目录: 晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单

可用性: 19474 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Nov 13 - Nov 17 2024

类型	描述
系列:	NexFET™
包裹:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
零件状态:	Active
场效应管类型:	N-Channel
技术:	MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):	30 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:	20A (Ta), 60A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）:	3V, 8V
rds on (max) @ id, vgs:	5.4mOhm @ 18A, 8V
vgs(th) (最大值) @ id:	1.7V @ 250µA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:	10 nC @ 4.5 V
vgs (最大值):	+10V, -8V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:	1440 pF @ 15 V
场效应管特征:	-
功耗（最大值）:	2.8W (Ta)
工作温度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:	Surface Mount
供应商设备包:	8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
包/箱:	8-PowerTDFN

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