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| 类型 | 描述 |
|---|---|
| 系列: | - |
| 包裹: | Tape & Reel (TR) |
| 零件状态: | Active |
| 内存类型: | Non-Volatile |
| 内存格式: | EEPROM |
| 技术: | EEPROM |
| 内存大小: | 2Kb (256 x 8) |
| 内存接口: | I²C |
| 时钟频率: | 400 kHz |
| 写周期时间 - 字，页: | 5ms |
| 访问时间: | 900 ns |
| 电压 - 电源: | 2.5V ~ 5.5V |
| 工作温度: | 0°C ~ 70°C (TA) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 包/箱: | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
| 供应商设备包: | 8-TSSOP |
UNIT2, 22/F., RICHMOND COMM. 香港九龙旺角亚皆老街109号大厦
办公时间：周一至周五，9:00-18:30(GMT+8)
电话: 00852-52612101
|
AS7C34096A-20JINAlliance Memory, Inc. |
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ |
|
IS62WVS2568FBLL-20NLIISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
IC SRAM 2MBIT SPI/QUAD I/O 8SOIC |
|
W978H2KBVX2IWinbond Electronics Corporation |
IC DRAM 256MBIT PAR 134VFBGA |
|
MX25L25645GZ2I-08GMacronix |
IC FLSH 256MBIT SPI 120MHZ 8WSON |
|
HN27C4001G10Rochester Electronics |
UV EPROM, 512KX8, 100NS |
|
CY7C109BN-12ZCRochester Electronics |
STANDARD SRAM, 128KX8 |
|
AT27C040-70JURoving Networks / Microchip Technology |
IC EPROM 4MBIT PARALLEL 32PLCC |
|
CY7C1041CV33-10BACRochester Electronics |
STANDARD SRAM, 256KX16 |
|
GD25LQ128DYIGRGigaDevice |
IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 8WSON |
|
MT29F384G08EBHBBJ4-3R:BMicron Technology |
IC FLASH 384GBIT PAR 132VBGA |
|
AT28C010E-15JURoving Networks / Microchip Technology |
IC EEPROM 1MBIT PARALLEL 32PLCC |
|
IS46R16160F-6TLA2ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II |
|
CY7C1474V33-167BGCRochester Electronics |
IC SRAM 72MBIT PARALLEL 209FBGA |
