English
简体中文
图片仅供参考，请联系我们获取真实图片
| 类型 | 描述 |
|---|---|
| 系列: | * |
| 包裹: | Bulk |
| 零件状态: | Active |
| 内存类型: | - |
| 内存格式: | - |
| 技术: | - |
| 内存大小: | - |
| 内存接口: | - |
| 时钟频率: | - |
| 写周期时间 - 字，页: | - |
| 访问时间: | - |
| 电压 - 电源: | - |
| 工作温度: | - |
| 安装类型: | - |
| 包/箱: | - |
| 供应商设备包: | - |
UNIT2, 22/F., RICHMOND COMM. 香港九龙旺角亚皆老街109号大厦
办公时间：周一至周五，9:00-18:30(GMT+8)
电话: 00852-52612101
|
CY7C1371BV25-100ACRochester Electronics |
ZBT SRAM, 512KX36, 8.5NS |
|
CY7C1414SV18-200BZCRochester Electronics |
SYNC RAM |
|
34LC02T-E/STRoving Networks / Microchip Technology |
IC EEPROM 2KBIT I2C 1MHZ 8TSSOP |
|
70V08L20PFGI8Renesas Electronics America |
IC SRAM 512KBIT PARALLEL 100TQFP |
|
S25FL128SAGMFV010Cypress Semiconductor |
IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 16SOIC |
|
AS6C2008A-55SINTRAlliance Memory, Inc. |
IC SRAM 2MBIT PARALLEL 32SOP |
|
CY7C1380B-167ACRochester Electronics |
IC SRAM 18MBIT PARALLEL 100TQFP |
|
MT53E128M32D2DS-053 AUT:A TRMicron Technology |
IC DRAM 4GBIT 1.866GHZ 200WFBGA |
|
71V3559S80PFRochester Electronics |
IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP |
|
CY7C1359A-150ACRochester Electronics |
CACHE TAG SRAM, 256KX18, 3.8NS |
|
MX60LF8G18AC-TIMacronix |
IC FLASH 8GBIT PARALLEL 48TSOP |
|
UPD44645092AF5-E40-FQ1-ARochester Electronics |
STANDARD SRAM, 8MX9, 0.45NS |
|
IS62LV256AL-45TLIISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
IC SRAM 256KBIT PAR 28TSOP I |
