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| 类型 | 描述 |
|---|---|
| 系列: | - |
| 包裹: | Tape & Reel (TR) |
| 零件状态: | Active |
| 内存类型: | Volatile |
| 内存格式: | SRAM |
| 技术: | SRAM - Asynchronous |
| 内存大小: | 16Mb (2M x 8) |
| 内存接口: | Parallel |
| 时钟频率: | - |
| 写周期时间 - 字，页: | 25ns |
| 访问时间: | 25 ns |
| 电压 - 电源: | 2.4V ~ 3.6V |
| 工作温度: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 包/箱: | 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) |
| 供应商设备包: | 44-TSOP II |
UNIT2, 22/F., RICHMOND COMM. 香港九龙旺角亚皆老街109号大厦
办公时间：周一至周五，9:00-18:30(GMT+8)
电话: 00852-52612101
|
71V65903S85BGGIRenesas Electronics America |
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 119PBGA |
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S29JL064J60TFA000Rochester Electronics |
IC FLASH 64MBIT PARALLEL 48TSOP |
|
S25FL256SDSMFB001Cypress Semiconductor |
IC FLASH 256MBIT SPI/QUAD 16SOIC |
|
MM54C200D/883Rochester Electronics |
STANDARD SRAM, 256X1 |
|
IS49RL18320-125EBLISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
IC DRAM 576MBIT PAR 168FCBGA |
|
71V3577S85BQIRenesas Electronics America |
IC SRAM 4.5MBIT PAR 165CABGA |
|
CY62167GE30-45BVXICypress Semiconductor |
IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48VFBGA |
|
CY14B104L-BA25XCRochester Electronics |
IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 48FBGA |
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W25Q80EWSSIG TRWinbond Electronics Corporation |
IC FLASH 8MBIT SPI 104MHZ 8SOIC |
|
CY7C1360C-200AXCRochester Electronics |
QDR SRAM, 256KX36, 3NS PQFP100 |
|
041841QLAD-7Rochester Electronics |
256KX18 SRAM |
|
71256L25YGIRochester Electronics |
IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ |
|
FM24C05UNRochester Electronics |
IC EEPROM 4KBIT I2C 100KHZ 8DIP |
