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RES 0.511 OHM 1% 1/2W 1206
BOX ABS BLACK 4.94"L X 2.75"W
IC SRAM 4.5MBIT PAR 208CABGA
IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
图片仅供参考，请联系我们获取真实图片
| 类型 | 描述 |
|---|---|
| 系列: | - |
| 包裹: | Tray |
| 零件状态: | Active |
| 内存类型: | Volatile |
| 内存格式: | SRAM |
| 技术: | SRAM - Dual Port, Synchronous |
| 内存大小: | 4.5Mb (256K x 18) |
| 内存接口: | Parallel |
| 时钟频率: | 133 MHz |
| 写周期时间 - 字，页: | - |
| 访问时间: | 4.2 ns |
| 电压 - 电源: | 3.15V ~ 3.45V |
| 工作温度: | 0°C ~ 70°C (TA) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 包/箱: | 208-LFBGA |
| 供应商设备包: | 208-CABGA (15x15) |
UNIT2, 22/F., RICHMOND COMM. 香港九龙旺角亚皆老街109号大厦
办公时间：周一至周五，9:00-18:30(GMT+8)
电话: 00852-52612101
|
8403607JARochester Electronics |
2K X 8 CMOS RAM |
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24LCS52-I/PRoving Networks / Microchip Technology |
IC EEPROM 2KBIT I2C 400KHZ 8DIP |
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M95040-DFDW6TPSTMicroelectronics |
IC EEPROM 4KBIT SPI 20MHZ 8TSSOP |
|
71V65703S80BGRochester Electronics |
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 119PBGA |
|
24AA512-I/STRoving Networks / Microchip Technology |
IC EEPROM 512KBIT I2C 8TSSOP |
|
AT25XV021A-XMHV-TAdesto Technologies |
IC FLASH 2MBIT SPI 70MHZ 8TSSOP |
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GS8342D36BGD-300IGSI Technology |
IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FPBGA |
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7142SA55CBRenesas Electronics America |
IC SRAM 16KBIT PARALLEL SB48 |
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AS4C256M16D3C-10BCNAlliance Memory, Inc. |
IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA |
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IS26KS128S-DPBLI00ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
IC FLASH 128MBIT PAR 24VFBGA |
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AS6C2016-55ZINTRAlliance Memory, Inc. |
IC SRAM 2MBIT PARALLEL 44TSOP II |
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AS4C512M16D3L-12BCNAlliance Memory, Inc. |
IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96FBGA |
|
IS66WVE4M16EALL-70BLIISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
IC PSRAM 64MBIT PARALLEL 48TFBGA |